180nm，记得stm32好像也是这个级别的。
求问更高工艺，比如28nm，也能做数模混合吗？比如加外面就一路1.8V电进来，die里自己做ldo或者dcdc或者开关，软件去控里面电的电压和开关。

【 在 hhxss 的大作中提到: 】
: 小朋友
: 我这边是做1mm2的180nm工艺数模混合芯片
: 我用的工具是XA做全芯片包括数字netlist的仿真
: ...................
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FROM 183.192.28.*

不是这行的啊！纯好奇发问。
看mtk和高通之类的手机soc，狂多、十几路甚至几十路电源往soc里捅，外面还得单独一颗甚至几颗电源芯片。本青就很奇怪了：做芯片的人就不会把电源也做进去吗？同一个电压的就一路电送过去，芯片内部自己开关；不同电压的，芯片内部自己加ldo或者dcdc转。不这么做，是出于什么样的考虑？

【 在 hhxss 的大作中提到: 】
: 只要数字不复杂就可以做
: 模拟器件和数字比差了不止一个数量级
: 而且我做的是数字后端给的netlist
: ...................
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FROM 183.192.28.*

在功能机时代
pmu和soc是集成了的
到智能机时代
功耗增加了（散热问题）
pmu复杂了
又独立了

soc的研发是大大头
如果用同一节点的先进工艺做pmu，没有任何优势甚至不可行（器件耐压问题）
如果是不同工艺合封
pmu的散热会导致soc出问题
所以只能在板上散热了


【 在 nlgdczm 的大作中提到: 】
: 不是这行的啊！纯好奇发问。
: 看mtk和高通之类的手机soc，狂多、十几路甚至几十路电源往soc里捅，外面还得单独一颗甚至几颗电源芯片。本青就很奇怪了：做芯片的人就不会把电源也做进去吗？同一个电压的就一路电送过去，芯片内部自己开关；不同电压的，芯片内部自己加ldo或者dcdc转。不这么做，是出于什么样的考虑？
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FROM 222.128.117.*

集成ldo是常规操作了吧, stm32之类很多都是1.xV的核心电压

集成dcdc的mcu也有不少了, 不过电感还是要外接的


【 在 nlgdczm 的大作中提到: 】
不是这行的啊！纯好奇发问。
看mtk和高通之类的手机soc，狂多、十几路甚至几十路电源往soc里捅，外面还得单独一颗甚至几颗电源芯片。本青就很奇怪了：做芯片的人就不会把电源也做进去吗？同一个电压的就一路电送过去，芯片内部自己开关；不同电压的，芯片内部自己加ldo或者dcdc转。不这么做，是出于什么样的考虑？

【 在 hhxss 的大作中提到: 】
: 只要数字不复杂就可以做
: 模拟器件和数字比差了不止一个数量级
: 而且我做的是数字后端给的netlist
: ...................
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FROM 114.246.108.*

因为用先进工艺做功率的东西不划算啊；

功率的东西就由两个东西决定，耐压的电流，和工艺先进与否有没关系；

这几十年以来先进工艺的路子都是尺寸越来越小，耐压越来越低，价格越来越高，压根
就不打算用这玩意儿来做功率；

所以现在除了一些因为类似封装寄生实在不得不把电源集成到内部的情况以外，大部分
soc供电都是在外面单独丢一颗pmu；

毕竟pmu现在大部分都收束到.18这种成熟便宜工艺上面了，mask成本流片成本都比先进
工艺便宜若干个数量级，何乐而不为呢；


【 在 nlgdczm 的大作中提到: 】
: 不是这行的啊！纯好奇发问。
: 看mtk和高通之类的手机soc，狂多、十几路甚至几十路电源往soc里捅，外面还得单独一颗甚至几颗电源芯片。本青就很奇怪了：做芯片的人就不会把电源也做进去吗？同一个电压的就一路电送过去，芯片内部自己开关；不同电压的，芯片内部自己加ldo或者dcdc转。不这么做，是出于什么
: 目悸牵
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