见我上贴 目前是增大了rds70mohm到330mohm，较小了7C2 （10uf到4.7uf以下）.  
这个充电常数 t=rc反而增大....  现在也说不清楚。

【 在 HxSailor 的大作中提到: 】
: 前面说的p3v3_1之后u9已经断开，那按按钮的瞬间电路里的负载电容只有c17，7c2了(7c3勉强算是，要不你也断了试试。)还有就是pmos的寄生电容cgs了，按你原贴的说法和实测图，c17你换了很多值试了，这个外面并的都只会使上电瞬间充电时间变长(我觉得后面7c2都可以先不用考虑，根本还没作用到电路），缓启电容加cgs充电能量就使4362保护动作了，所以你只能反方向考虑，假设p-mos导通之前电路中r一定，用cgs小的，启动瞬间虽然电流也能是超的，但是t=cr小，充电积累能量小，不要超过4362的动作阈值。p-mos导通后7c2才开始起作用。导通过程如果rds比较大，可以限制后面负载c的充电电流。电容c的0转态响应最大充电电流和c本身无关，只和终止电压和电路中等效串联电阻(本例中的rds)有关，相除的关系。
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