不是驱动功率。隔离变压器驱动下，关断电平的负电压和开通的正电压一般是对称的吧，传统Si mos栅源可以耐受十几伏的负电平，碳化硅mos受不了，因此传统的驱动电路似乎无法提供SiC mos需要的-3V来关断。我想请教的是，在隔离驱动变压器输出测没有辅助供电的情况下，是否能用阻容二三极管等搭建出适用于SiC mos的驱动电路？
【 在 liaochen 的大作中提到: 】
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: 你是在问驱动功率？变压器驱动 功率是不是足够？
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发自「今日水木 on RMX3350」
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