目前的主流光刻机,DUV光刻机,采用的是波长为193纳米光源(深紫外光),最小清晰成像间距38纳米,通过多重曝光的沉积刻蚀技术,目前能实现5纳米芯片(不确认,好久以前看到的)。
美国政府不许ASML进口中国的极紫外光刻机(EUV)采用的是波长为13.5纳米的光源(极紫外光),采用原理相同的工艺,,,理论上实现个0.5nm应该没问题。。。台积电的展望是0.1nm 。
单从平面芯片而言,现有的工艺思路,理论上0.01纳米这个数量级应该实现不了了。
找不到更窄的光源了,硅的原子半径也限制了下限。。。
芯片制造,现在还有两个已经被证实可行的相关技术方向:
1. 立体上发展,就是堆叠。
2. 大尺寸,难点就是散热,目前已经有实验室完成直接将散热管做在芯片内部了,工艺跟芯片制造类似,就是多了一层。。。
所以,比现在的晶体管数量大个一万倍甚至十万倍的芯片,仅用现存的工艺原理,理论上是能造出来的。。。嗯。
【 在 pixYY 的大作中提到: 】
: 根据硅基半导体的特性,制造工艺应该是有极限的吧
: 小到一定程度应该有量子效应了
: 听说,现在台积电正解决2nm,冲击1nm
: ...................
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修改:winggnan FROM 183.197.153.*
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