0.01纳米，你真敢想
你想把一个硅原子劈成十个吗

【 在 winggnan 的大作中提到: 】
: 目前的主流光刻机，DUV光刻机，采用的是波长为193纳米光源（深紫外光），最小清晰成像间距38纳米，通过多重曝光的沉积刻蚀技术，目前能实现5纳米芯片（不确认，好久以前看到的）。
: 美国政府不许ASML进口中国的极紫外光刻机(EUV)采用的是波长为13.5纳米的光源（极紫外光），采用原理相同的工艺，，，理论上实现个0.5nm应该没问题。。。台积电的展望是0.1nm 。
: 单从平面芯片而言，现有的工艺思路，理论上0.01纳米这个数量级应该实现不了了。
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