nand flash是用浮动栅极的氧化层锁住电子来保持数据，制程越细密，氧化层越薄，里面锁的电子当然也少，所以随着制程演进，擦写寿命是越来越拉胯的

当然比特数还在增加，SLC MLC TLC QLC ，这个是数量级拉胯的

【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 为什么NAND颗粒晶体管间距大了会更稳定,寿命更好,原来几十层的TLC现在都100多层的TLC了,感觉比原来一些早期的MLC还要寿命长点
: 原来都是平面工艺MLC那个年代一堆人说19nm寿命肯定比14nm好,原理是什么
: 回答干货和提问技术问题一般都没人回,我只是想打破魔咒
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