断电保持数据时间和制程、每单元比特数（SLC vs MLC vs TLC etc)有直接关系，实际上就是浮动栅极里被氧化层锁住的电子一直在慢慢漏掉，每单元比特数越多，漏电对保持数据造成的影响越明显
90nm SLC 能断电保持数据10年，MLC 1年左右，TLC 两三个月
长时间不通道导致性能变差是主控在后台拼命复制搬移数据，给漏电漏差不多的数据续命。现在ssd的主控一直监视颗粒的数据完整性，察觉漏差不多了就赶紧复制一下。正常情况下用户不会有感知，但断电很久，很多颗粒都急着续命，用户就发现ssd性能掉下去了。
【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 那要是按这种原理,MLC长时间不通电性能变差,会明显比TLC强很多吧,前段时间的半年不用固态三星西数等性能下降帖子
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