18 日消息，SK 海力士（SK Hynix）近日宣布第八代 3D NAND 的详细信息，堆叠层数超过 300 层，预估将于 2024 年年底或者 2025 年年初上市发售。

SK 海力士官方公告中提到，第 8 代 3D NAND 堆叠成熟超过 300 层，容量为 1Tb（128GB），具有三级单元和超过 20Gb / mm^2 的位密度（bit density）。

该芯片的页容量（page size）为 16KB，拥有 4 个 planes，接口传输速度为 2400MT / s，最高吞吐量为 194MB/s（比第 7 代 238 层 3D NAND 快 18%）。

而在今年上半年开始量产的第七代238层NAND技术为海力士4D NAND闪存计划研发的最新成果，目前市面上还没有采用这种颗粒的固态硬盘，并且产品将优先提供给企业级客户。这一计划在2019年首次推出了128层4D NAND闪存，最大容量为1Tb。4D NAND技术相比于3D NAND，更像是一套NAND+类DRAM的系统，4D NAND架构可以实现多工操作，提升数据吞吐量和能效。

国内长江存储目前量产为232层3D NAND。
--
FROM 114.249.195.*