去年末，ASML向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机。这是具有高数值孔径（High-NA）和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光（EUV）大批量生产系统，提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

英特尔打算在Intel 18A制程节点引入High-NA EUV光刻技术，这意味着大概在2026年至2027年之间开始启用新设备。事实上，台积电（TSMC）和三星都已表示会采购High-NA EUV光刻机，用于研发未来新的半导体工艺，不过没有设定任何的时间表。

据DigiTimes报道，来自于晶圆厂工具制造商的消息证实，台积电要等到1nm制程节点才会使用High-NA EUV光刻机，可能是出于对成本的考虑。根据台积电之前公布的路线图，1.4nm级A14工艺的推出时间大概在2027年至2028年之间，而1nm级A10工艺的开发预计会在2030年前完成。


此前ASML首次财务官Roger Dassen在接受采访时表示，High-NA EUV光刻机可以避免制造上双重或四重曝光带来的复杂性，在逻辑和存储芯片方面是最具成本效益的解决方案。显然并不是所有的芯片制造商都像英特尔那样急于将High-NA EUV光刻机用于芯片的量产，表面上可以降低总体成本，但毕竟现有的EUV光刻机也可以双重成像技术实现相同的效果。

由于计划会根据现有技术的表现以及其他市场因素而改变，所以台积电最后也可能会改变引入High-NA EUV光刻技术的时间点。
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修改:Acui FROM 111.30.248.*
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