近日，宾夕法尼亚大学的研究人员开发了一种全新耐高温存储设备，这种设备可以在600℃的高温下保持稳定性，让存储其上的数据不会丢失。这种存储设备改变了目前硅基闪存200℃下就会失效的问题，后续可能会被运用于制作大规模AI系统的内存。

据开发人员之一的Deep Jariwala介绍，该耐高温存储设备主要使用氮化铝钪（AIScN）材料进行制造，这种材料拥有更稳定更强大的化学键，能在高温下保持稳定，十分耐用。存储设备本身由“金属-绝缘体-金属”结构组成，通过一层45nm厚的氮化铝钪（AIScN）将金属镍电极和金属铂电极结合在一起。Jariwala还说，氮化铝钪（AIScN）层的厚度是制成这种内高温存储设备的关键，“如果它（AIScN）太薄，那增强的活性会驱使扩散并导致材料退化。如果太厚，则我们寻找的铁电开关性能就会丧失，因为开关电压随厚度尺度变化，并且在实际工作环境中存在这一方面的限制”。

Jariwala称，这种耐高温存储设备可以解决目前芯片架构设计中一个关键缺陷，即中央处理器和内存分离而导致的效率低下，因为运算数据必须在两者之间传输，这个缺陷对需要处理大量数据的AI应用程序影响尤为明显。新存储设备允许内存和处理器更加紧密地集成在一起，降低数据传递时间，从而提升计算速度、复杂性和效率，研发团队称之为“内存增强计算”。未来大规模AI系统建设时可使用这种存储器作为内存，可有效提高运行稳定性和计算效率。
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修改:Acui FROM 223.72.88.*
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