铠侠（Kioxia）和闪迪（Sandisk）合作，在最近的ISSCC 2025上公布了其第十代BiCS FLASH闪存技术。与上一代产品相比，新款3D NAND闪存的性能提高了33%，位密度、接口速率和功率效率也有所提高。

据TomsHardware报道，BiCS10 FLASH 3D NAND闪存采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆单独制造后粘合在一起。这不是什么新鲜事，毕竟在第八代BiCS FLASH闪存技术上就已经这么做了。不过亮点在于，铠侠采用了Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，将NAND I/O接口速度从3.6Gbps提升至4.8Gbps。

速度的提升还有部分原因在于NAND闪存层数的增加，从第八代BiCS FLASH闪存技术的218层增至332层，总层数增加了38%。优化平面布局后，位密度提升了59%，进一步增强了存储密度。铠侠曾表示，到2027年制造总层数达到1000层的3D NAND闪存，显然322层比起来仍然有较大距离。

此外，新一代3D NAND闪存还引入了PI-LTT技术，从而降低了功耗，其中数据输入功耗降低10%，输出功耗降低34%。铠侠首席技术官宫岛秀表示，随着人工智能（AI）技术的普及，预计产生的数据量将大幅增加，因此现代数据中心对提高能效的需求也在增加。
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