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发信人: tsa300 (Tele-Superachromat T*), 信区: ITExpress
标  题: 佳能正式发布EUV替代技术NIL，目前相当于5纳米制程
发信站: 水木社区 (Sat Oct 14 14:52:56 2023), 站内

Canon历经20年的研发，昨天正式发布EUV替代技术的 奈米压印设备 Nano Imprint Lithography NIL，目前技术水准提供5奈米制程需求，下一步为2奈米

除了现有的光刻系统之外，透过将采用奈米压印光刻（NIL）技术的半导体制造设备推向市场，佳能正在扩大其半导体制造设备阵容，涵盖从最先进的半导体设备到最广泛的用户需求。现有设备。

传统的光刻设备透过将电路图案投影到涂有抗蚀剂的晶圆上来转移电路图案，而新产品则透过将印有电路图案的掩模压印在晶圆上的抗蚀剂上，就像印章一样来实现这一点。由于其电路图案转移过程不通过光学机制，因此掩模上的精细电路图案可以忠实地再现到晶圆上。因此，复杂的二维或三维电路图案可以形成在单一压印件1中，这可以降低拥有成本(CoO)。
佳能的 NIL 技术可实现最小线宽 14 nm 2的图案化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的5 奈米节点3 。此外，随着光罩技术的进一步改进，NIL可望实现最小线宽为10nm的电路图案，相当于2nm节点。

新产品采用了新开发的环境控制技术，可抑制设备内细颗粒的污染。

实现了半导体层数增加所必需的高精度对准，减少了微细颗粒造成的缺陷，并可形成精细且复杂的电路，为尖端半导体装置的制造做出了贡献。

由于新产品不需要用于精细电路的特殊波长光源，因此与目前最先进逻辑半导体的光刻设备（5奈米节点，15奈米线宽）相比，可以显著降低功耗，有助于至CO 2还原。
新产品可用于广泛的应用，例如用于具有数十奈米微结构的XR的Metalenses 4，以及逻辑和其他半导体装置。
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