这个电路像是 LDO，就是像 78L12 或 1117-12 那样。
也类似于“模拟电路”课本所讲的双极型三极管构成的“射极跟随器”。

不过它的理论输出电压应是 D5 的稳压电压减于 Q1 的栅源开启电压。
实际情况中，R8 的阻值那么大，这样 D5 拦截出的电压会比 12V 的
额定值低不少。而 Q1 (无锡新洁能的微功率场管) 的栅源开启电压
大约是 1.8V。这样，Q1 后的输出电压我估计在 9V 以下。

由于 LDO 类型的电路是靠器件的电阻性质来降压的，所以
如果输出电流较大时，Q1 会有明显的发热。

如果不是输入电压这么高到 48V，我觉得这电路搭得毫无必要。
长电科技(无锡市江阴县级市)、常州辰行达的 78L12 都很便宜，
还有电压精度的保障。



【 在 chinatongue (猫贼洞，猫在洞里做贼) 的大作中提到: 】
: 标  题: 问一个电路，为什么图中国VDD_12V是12V，怎么计算出来？
: 发信站: 水木社区 (Wed Aug 19 19:23:48 2020), 站内
:
: 其中D5是12V稳压管；[upload=1][/upload]
: --
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: ※ 来源:·水木社区 http://www.newsmth.net·[FROM: 218.4.117.*]
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修改:intron FROM 111.196.245.*
FROM 111.196.245.*

mos管处于不停的关断平衡状态？相当于略低于12V？
只要关断，源极就是0v，gs=12v，马上又打开，只要开到高于12v，马上又断？这样mos是不是很容易坏？

【 在 intron 的大作中提到: 】
: 这个电路像是 LDO，就是像 78L12 或 1117-12 那样。
: 也类似于“模拟电路”课本所讲的双极型三极管构成的“射极跟随器”。
: 不过它的理论输出电压应是 D5 的稳压电压减于 Q1 的栅源开启电压。
: ...................
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FROM 122.192.13.*

主要还是mos后边的电容的原因吧？
电容不断的充放电，当电容电压低于12v，mos就处于微导通状态，导通后电容就充电，充到电压接近12v就关断，然后电容又放电。

【 在 EmiyaShirou 的大作中提到: 】
: 这个MOSFET处于线性工作区，也就是纯电阻状态。
: MOSFET的阻值受Gate电压控制，但并不是跃变的，在Vth到Vth+1.5V这个区间是一个可变电阻。低于Vth呈现高阻，高于Vth+1.5V呈现导通状态。
:
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FROM 122.192.13.*

纹波加剪波

【 在 chinatongue 的大作中提到: 】
:
: 其中D5是12V稳压管；

#发自zSMTH@天网终端
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FROM 101.232.128.*

对，就是线性稳压，跟LDO原理是一样的。
【 在 tom6bj 的大作中提到: 】
: 只是线性稳压吧
: LDO一般要用PNP或PMOS，集电极或漏极输出，考虑到反馈相位要做防振处理，
: 衬底还要做N阱等等 (具体器件也可能反过来，把除了输出管以外的部分全做到P阱里？）
: ...................
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FROM 183.47.51.*