以前78xx系列三端稳压用容易做的NPN功率管输出，相当于射极跟随器，要保持线性输出，
压差一般要大于1.5V。
后来用PNP/PMOS管集电极/漏极输出。LM1117是PNP，压差800mV。后来的先进
PMOS LDO压差降到更低。这种结构比射极输出在芯片设计时需要考虑避免自激。
（NPN/NMOS与PNP/PMOS在误差放大时差分输入正负端分别接基准和反馈刚好相反）
主要是生产工艺改进。同样性能的硅PMOS/PNP比NMOS/NPN工艺难度和生产成本高一些。
【 在 zhang75xd (zhang75xd) 的大作中提到: 】
: 标 题: Re: 问一个电路，为什么图中国VDD_12V是12V，怎么计算出来？
: 发信站: 水木社区 (Sat Aug 22 22:36:46 2020), 站内
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: 当年一些LDO的dropout压降动辄1.2或1.4v，为啥，因为是两个三极管的be压降，后来有些做到一个be压降了；再后来dropout降到了300mv，200mv，甚至150mv，这时候LDO内部的管子就都是mos了；
: 以及有一些串口信号5v和3.3v之间转换也有很多使用了这样的原理，三极管和mos管都有；
: 还有一些i2c电平转换使用的是同样原理的mos电路；
: 现在这个电路的基本原理就是参考了一个ldo，只不过把电阻的可调网络反馈改成了一个固定值；只要dropout电压乘电流别太大以至于功耗无法承受就ok了。
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: 【 在 dismoon 的大作中提到: 】
: : 我是在强调mosfet在楼主这图上不能这么用.....
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: ※ 来源:·水木社区
http://www.newsmth.net·[FROM: 106.121.66.*]
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修改:redleaves FROM 124.205.76.*
FROM 124.205.76.*