当年一些LDO的dropout压降动辄1.2或1.4v，为啥，因为是两个三极管的be压降，后来有些做到一个be压降了；再后来dropout降到了300mv，200mv，甚至150mv，这时候LDO内部的管子就都是mos了；
以及有一些串口信号5v和3.3v之间转换也有很多使用了这样的原理，三极管和mos管都有；
还有一些i2c电平转换使用的是同样原理的mos电路；
现在这个电路的基本原理就是参考了一个ldo，只不过把电阻的可调网络反馈改成了一个固定值；只要dropout电压乘电流别太大以至于功耗无法承受就ok了。

【 在 dismoon 的大作中提到: 】
: 我是在强调mosfet在楼主这图上不能这么用.....
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