我看的几台车电控部分拆解都是水冷的，而且一台车不止一个IGBT，很多车装了几十个IGBT,
有人对比过，用碳化硅mosfet比IGBT能省10%，而碳化硅本身也有10%的损耗，也就是说IGBT损耗大概20%

【 在 yehorse 的大作中提到: 】
: 开什么玩笑，按平均驱动功率15kW计算，20%的损耗就是3kW的功率转换为热量，相当于一台3kW的电炉子，这热量早把IGBT芯片给烧掉了，要知道IGBT芯片都是风冷，没有水冷的。
: IGBT损耗不会超过1%，大约平均150W的热量生成功率。
:
--
FROM 113.88.218.*