一个IGBT的电压损失大约1V，一般电路2个大概损失2V，如果350V总电压大概损失0.56%
其他损失，大概就是开关过渡态损失，不太好算。还有就是电路铜损，取决于具体构造。
所以，97~98%的效率是容易达到的。
SiC，主要用于高压，IGBT高耐压比较困难。电压高的话，开关器件电压损失占比就低一些。
【 在 SUNNYLEEE 的大作中提到: 】
: 差远了，硅基IGBT 90%差不多，碳化硅mosfet稍微好点
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