适用的电压范围呢？既然SiC MOSFET做不了大电流，那提高平台电压来降低电流以后能和IGBT做到同等功率了么？

【 在 zhangxy11 的大作中提到: 】
: 你这就是个典型的误解…
: 低电流情况下sic的mosfet比IGBT压降略低，但是大电流下IGBT内阻低的多
: 另外除了你理解的内阻损耗，还有很大一部分损耗来源是器件开关过程的动态损耗，这个和工作频率相关
: ...................
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