除了汉和model3
--
FROM 222.220.42.*

这东西到底什么功能，求科普下。

【 在 LiYingReBa 的大作中提到: 】
:
: 除了汉和model3

#发自zSMTH@TAS-AN00
--
FROM 183.236.0.*

IGBT和mosfet是功率器件的分类，igbt要比mosfet更适合与大功率应用，可以认为IGBT>MOSFET
但是器件的基底有Si、SiC、GaN，SiC这种宽禁带基底比Si基具有工作温度高、绝缘能力强等更优秀的性质，可以认为SiC>Si

但是受限于目前的材料工艺，只有Si才能做IGBT，SiC最多做个MOS、二极管这种。所以现在行业里面临SiC的MOSFET和Si的IGBT两种选择……板上就直接简称为SiC和IGBT了

以下是我瞎猜，因为我不做电机驱动……

对于电驱部分，在大电流上IGBT更占优势，高频以及耐高温特征上SiC占优势，表现为IGBT用的管子数量能少一点（大功率大扭矩电机用比较合适），SiC的散热需求会低一些（所以整体电控的体积可以小一些，而且瞬时峰值功率可以高一些），另外如果不配变速箱的话，sic的高频特征可以让电机的极限转速更快？

【 在 gen9 的大作中提到: 】
: 这东西到底什么功能，求科普下。
:
: #发自zSMTH@TAS-AN00
--
FROM 221.223.66.*

这或许就是Model 3极速超200的原因。

【 在 zhangxy11 的大作中提到: 】
: IGBT和mosfet是功率器件的分类，igbt要比mosfet更适合与大功率应用，可以认为IGBT>MOSFET
: 但是器件的基底有Si、SiC、GaN，SiC这种宽禁带基底比Si基具有工作温度高、绝缘能力强等更优秀的性质，可以认为SiC>Si
: 但是受限于目前的材料工艺，只有Si才能做IGBT，SiC最多做个MOS、二极管这种。所以现在行业里面临SiC的MOSFET和Si的IGBT两种选择……板上就直接简称为SiC和IGBT了
: ...................
--
FROM 124.193.82.*

赞

【 在 zhangxy11 的大作中提到: 】
:
: IGBT和mosfet是功率器件的分类，igbt要比mosfet更适合与大功率应用，可以认为IGBT>MOSFET
: 但是器件的基底有Si、SiC、GaN，SiC这种宽禁带基底比Si基具有工作温度高、绝缘能力强等更优秀的性质，可以认为SiC>Si
:
: 但是受限于目前的材料工艺，只有Si才能做IGBT，SiC最多做个MOS、二极管这种。所以现在行业里面临SiC的MOSFET和Si的IGBT两种选择……板上就直接简称为SiC和IGBT了
--
FROM 222.220.42.*