我感觉这是个电流标称的问题……

电流规格本身就是额定电流下功率和散热平衡的一个概念，所以其实是sic mos故意并联足够多的芯片来达到同规格IGBT类似的导通压降。这样最大电流的导通压降不比IGBT高，再加上mos的特性，那自然是在全电流范围内压降更低。

我一直感觉好多人对比相同规格的器件本身就是不公平的，应该对比相同芯片面积或者相同成本的sic mos和igbt，这样结论估计就会有所区别？

【 在 chenche8 的大作中提到: 】
: 这个说法比较偏理论，理论上相同的材料，IGBT能实现更小的通态电阻（电导调制效应嘛）。但是不同材料没有直接可比性。
: 目前1200V车规级SiC MOSFET，相比同电流规格的Si IGBT，在全电流范围内，SiC MOSFET内阻都是优于Si IGBT的。
:
--
FROM 221.223.66.*