【 在 tsa300 的大作中提到: 】
: nand flash是靠浮动栅极的氧化层锁住电子来保持数据的，电子本来就会慢慢漏掉，漏到电平1判断成0数据就没了。
: 十几年前90nm SLC 可以保持数据10年，45mn MLC 可以保持数据1年，随着制程越来越细、每单元表示的位数越来越多，保持数据的能力也指数级缩短，十几nm QLC 能保持个把月就不错了。
:

看资料， 是电子保持能力和栅极宽度有关，不过， 到了3d nand以后， 不在通过缩短平面栅极宽度来获得更高集成度， 应用3d堆叠技术的新固态， 实际比以前2d的nand固态， 普遍栅极宽度还大， 保持能力和可擦写稳定性都有了不小提升， 而不是更差。
--
FROM 124.126.0.*