制程更细了，栅极当然要受影响，否则制程进步就没意义了。

而且每单元位数更多了，以前SLC一个单元只表示0和1两位，只要不漏掉一半的电子，数据就没事，MLC要表示00到11共4位，TLC要表示8位，电平要拆成8份来判断，漏掉1/8的电子，存的数据就玩儿完了，后面QLC 16位， PLC 32位，余类推

所以保持数据能力是直线下降的

【 在 poggy 的大作中提到: 】
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: 看资料， 是电子保持能力和栅极宽度有关，不过， 到了3d nand以后， 不在通过缩短平面栅极宽度来获得更高集成度， 应用3d堆叠技术的新固态， 实际比以前2d的nand固态， 普遍栅极宽度还大， 保持能力和可擦写稳定性都有了不小提升， 而不是更差。
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