- 主题:为啥美国可以直接搞0.1纳米那套工艺？
这是为啥？台积电总师黄汉森说，三维堆叠逻辑芯片工艺相当于0.1纳米的工艺。为啥美国可以搞，中国不行？
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修改:dragonfly112 FROM 125.33.91.*
FROM 125.33.91.*
没有大规模，超大规模量产。
【 在 dragonfly112 的大作中提到: 】
: 这是为啥？台积电总师黄汉森说，三维堆叠逻辑芯片工艺相当于0.1纳米的工艺。为啥美国可以搞，中国不行？
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FROM 210.13.72.*
这和规模量产有什么关系啊？finfet在1999年验证概念可行的时候，规模量产了吗？你不能因为婴儿不能working，就说他没用吧。培养一个婴儿到他博士毕业，才堪大用，最快也要20年。那我们为什么不象美国那样提前培育有希望的技术？为什么非要到了上轿的时候才着急扎耳朵眼？
【 在 piaoranerfei 的大作中提到: 】
: 没有大规模，超大规模量产。
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FROM 125.33.91.*
华为不是也有堆叠吗？等效7纳米，忘了？
【 在 dragonfly112 (dragonfly112) 的大作中提到: 】
: 这是为啥？台积电总师黄汉森说，三维堆叠逻辑芯片工艺相当于0.1纳米的工艺。为啥美国可以搞，中国不行？
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: ※ 修改:·dragonfly112 于 Oct 17 12:22:33 2022 修改本文·[FROM: 125.33.91.*]
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修改:dragonfly112 FROM 125.33.91.*
FROM 117.136.0.*
华为不是堆叠，硅器件没法堆叠，华为大概率搞的4重以上曝光。
【 在 nikezhang 的大作中提到: 】
: 华为不是也有堆叠吗？等效7纳米，忘了？
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FROM 125.33.91.*
三维堆叠谁说中国不行？ 很多公司产品都是这个工艺啊，只不过是用28的工艺做出7的，要是有4纳米设备也能做出1以下的
【 在 dragonfly112 的大作中提到: 】
: 这是为啥？台积电总师黄汉森说，三维堆叠逻辑芯片工艺相当于0.1纳米的工艺。为啥美国可以搞，中国不行？
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FROM 114.251.196.*
别很多公司，到底是哪些公司？还28做出7的，你告诉我，你知道不知道硅工艺的加工温度要1000摄氏度以上？第一层加工好了，第二层再上这么高的温度，第一层的电路能不受破坏吗？或者你根本不懂我们这里讲的三维堆叠指的什么，你以为是闪存芯片里管芯边缘打过孔的三维堆叠吗？
【 在 beinghalf 的大作中提到: 】
: 三维堆叠谁说中国不行？ 很多公司产品都是这个工艺啊，只不过是用28的工艺做出7的，要是有4纳米设备也能做出1以下的
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FROM 125.33.91.*