mos管的沟道开始只需要上边加栅电压开关，后来随着线宽减小，需要三面加栅电压。现在是四面一圈的栅，包着沟道来开关。以后是把这个环栅做的越来越薄，把有源区做的越来越细。最终的环栅厚度和沟道直径大约会是两三个埃米的样子，也就是两三个硅原子的大小。

【 在 grampus (大雄) 的大作中提到: 】
: 2020年9月21日消息，台积电2nm工艺取得重大突破，于全球首家提出实现环栅晶体管（GAA）的具体方案——多桥沟道场效应晶体管（MBCFET），该晶体管器型解决了鳍式场效应晶体管（FinFET）由于尺寸进一步微细化而导致的电流沟道难以关闭问题。与台积电公司目前的7纳米工艺相
: 鳍式场效应晶体管是目前数字集成电路的基本器件，其栅极采用三包围结构以加强电场对电流通道的控制，解决了平面晶体管电流通道难以关闭的问题，将摩尔定律延续了10年。环栅晶体管是鳍式场效应晶体管的后继器件，其栅极被四面完全包围，是当前晶体管的理想形式也是最终形
: 台积电公司总裁魏哲家表示：该公司将在2023年下半年开始基于多桥沟道场效应晶体管的微处理器风险试生产，按规划将达到90%的良率，而大规模生产将在2024年开始。
: ...................
--
修改:lxku FROM 114.249.22.*
FROM 114.249.22.*