2020年9月21日消息，台积电2nm工艺取得重大突破，于全球首家提出实现环栅晶体管（GAA）的具体方案——多桥沟道场效应晶体管（MBCFET），该晶体管器型解决了鳍式场效应晶体管（FinFET）由于尺寸进一步微细化而导致的电流沟道难以关闭问题。与台积电公司目前的7纳米工艺相比，2纳米工艺可将器件面积减少45%，功耗降低50%，性能提高35%。

鳍式场效应晶体管是目前数字集成电路的基本器件，其栅极采用三包围结构以加强电场对电流通道的控制，解决了平面晶体管电流通道难以关闭的问题，将摩尔定律延续了10年。环栅晶体管是鳍式场效应晶体管的后继器件，其栅极被四面完全包围，是当前晶体管的理想形式也是最终形式。

台积电公司总裁魏哲家表示：该公司将在2023年下半年开始基于多桥沟道场效应晶体管的微处理器风险试生产，按规划将达到90%的良率，而大规模生产将在2024年开始。
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