近日，台积电总裁魏哲家在月前的法说会上透露，3NM支撑进展符合预期，将于今年下半年量产。不过，根据DigiTimes最新消息，半导体设备厂商称，台积电3NM良率爬坡遇到较大的阻力，为此还多次修正3NM蓝图。
该半导体设备厂商还补充道，台积电已经将3NM工艺划分出N3、N3E与N3B等多个版本，以符合不同客户的需求。目前来看，苹果、英特尔等大厂已经预定了大部分的3NM产能，现在台积电良率爬坡遇阻，不知道我们有没有机会如期看到各家大厂的最新产品。
相比于5NM，3NM制程的晶体管密度提升70%、性能提升15%、功耗降低30%，采用该制程的芯片无论是功耗还是性能表现，都会比5NM芯片有不小的提升，尤其是智能手机，内部空间有限，散热效果不能跟平板、PC等产品相比，所以对芯片制程的要求也就更高。
近两年，台积电的制程工艺总会优于三星，尤其是竞争异常激烈的7NM、5NM节点，前者生产的芯片基本都没有出现过翻车的迹象，而基于三星的5NM制程打造的骁龙、猎户座芯片，体验似乎都不太理想。
在3NM这个节点，三星用上了GAAFET环绕栅极场效应晶体管技术，理论上晶体管密度更高、功耗更低，而台积电的3NM很可能还是FinFET立体晶体管技术，也就是说，后者3NM良率爬坡受阻，三星有望获得更多反超的机会。
在全球晶圆代工行业，台积电是老大，工艺也是最先进的，三星则是第二，虽然规模比不上台积电，但是先进工艺也没落后多少，也量产了5nm、4nm，甚至在3nm节点首发GAA晶体管工艺。
再加上代工价格比台积电低，三星近年来也拉拢了不少代工客户，包括高通及NVIDIA、IBM等，然而最近的消息显示，不仅NVIDIA会改用台积电5nm量产下一代GPU芯片，高通也把3nm工艺订单转给了台积电，放弃了三星。
大客户纷纷跑路，三星到底出了什么问题？韩国媒体nfostock Daily报道称，三星已经启动了内部调查研究5nm、4nm及3nm工艺的良率问题，内部已经注意到了芯片的产量跟订单采购的晶圆数量不匹配。
简单来说，三星高层这是要调查代工业务部门内部是否修饰了三星工艺的良率，是否存在造假问题。
调查的第二个重点就是三星巨资投入了工艺研发及制造，但是现在的情况有些不对，投资是否被挪用了也是调查的重点。
不过三星表示这些都是内部调查，不会对外界分享。
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