你这个可能需要半导体器件物理之类的书了。从物理机制原理来说，高频低频没什么差别，不影响载流子运动机制；强场弱场倒是会影响。高低频的影响得通过定量计算/测量得出来，低频时载流子的存储效应导致的等效电容之类也许可以忽略，但高频则不能；某种载流子散射机制在低频时影响大，高频时反而可忽略等等。这种定量计算求解在交变电磁场下的载流子运动方程，确实书中很少见，可能真得自己求解。不过这些复杂影响最终会反映在器件的物理特性上。半导体器件物理之类的书可能会定性讲到。如果你是设计高频器件，那非常专业非常狭窄了，估计还得找行业内的设计手册之类的资料了。

【 在 kailath 的大作中提到: 】
: 我主要想知道载流子运动与器件噪声之间关系，尤其是在高频例如10~100GHz时，载流子如何运动的。半导体物理，固体物理等书籍，大多讲的稳态、低频的，高频、非稳态的情况，没见哪里讲过。
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