1. 频率效应的通常方法是求解交变信号（以向量形式表达）加载下的双极输运方程，非线性，非常难解，需要各种简化，简化后就没高频的事儿了，不过可能是理解噪声源物理机制的起点；
2. 噪声是一种非理想效应，具体到高频噪声肯定和你的器件形态有关系，多数是和界面缺陷有关，这个理论上来说只有通过实验研究才能获取有效信息，除非你搞的是非常成熟的器件，别人已经搞清楚了的；
3. 100GHz的话，已经到毫米波领域，输运方程是否还合适用载流子输运来表达很有疑问，载流子模型本质上是电子运动经典化的结果，即粒子化，以载流子密度、速度、自由程这些概念来表达输运，到这个频率是不是应该换模型了，解亥姆霍兹方程？这方面完全不懂，可以找点材料看看

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【 在 kailath 的大作中提到: 】
: 我主要想知道载流子运动与器件噪声之间关系，尤其是在高频例如10~100GHz时，载流子如何运动的。半导体物理，固体物理等书籍，大多讲的稳态、低频的，高频、非稳态的情况，没见哪里讲过。
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