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在主流的CMOS硅晶体管上，随着晶体管尺寸缩小，电子移动速度逐渐达到了极限。工程师在硅晶圆上掺入硅锗，使得表面的硅晶圆发生应变，强行将硅原子间距撑大，这样界面处的电子就能以更快的速度行进，从而提高了晶体管的开关速度，如今这已经成为现代高速芯片中必不可少的主流技术
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