随便取的一个名字而已，有些道理，但是不要深究。

这些道理就是：
在这个区域，电学行为看起来，源漏ds两端的电压再增加，流过这两端的电流ID再也不增加了，表现得更像电流源。就像饱和了一样，投入再多的电压，也产出不了电流了，就和吃饱了一样。

按现有器件模型，沟道夹断了，不再变化了，通过沟道的电子速度和数量都被限制住了， j = nqv,所以电流也不怎么变了。当然由于实际不这么理想，实际这个区域还不能完全表现得像电流源。



【 在 x2303612 的大作中提到: 】
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