国产光刻机总体上发展的不错，但最后一段的远景规划还是太乐观了一些，再推后5年到8年比较符合现实。也就是到2033年实现28nm光刻机国产化率超过50%，到2038年推出7nm的样机。

【 在 smthxes 的大作中提到: 】
: 从90纳米的量产到28纳米的规模化应用，上海微电子28纳米的ArFi光刻机已经实现了量产，良率稳定在95%，已经向中芯国际和华虹半导体交付了15台，同时在中低端市场的占有率也有所提升
: 光源系统，科益虹源的Rf光源实现了全产能释放，在euv光源也有一些实验室样机的突破。
: duv光源主流是ARF准分子，激光器科益虹源可以做到6KHZ，60W的输出，算是全球的顶尖水平，euv光源目前只有asml的子公司cymer以及日本的Gigaphoton可以量产，cymer占有90%以上的市场份额
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