从90纳米的量产到28纳米的规模化应用，上海微电子28纳米的ArFi光刻机已经实现了量产，良率稳定在95%，已经向中芯国际和华虹半导体交付了15台，同时在中低端市场的占有率也有所提升

光源系统，科益虹源的Rf光源实现了全产能释放，在euv光源也有一些实验室样机的突破。
duv光源主流是ARF准分子，激光器科益虹源可以做到6KHZ，60W的输出，算是全球的顶尖水平，euv光源目前只有asml的子公司cymer以及日本的Gigaphoton可以量产，cymer占有90%以上的市场份额

光学系统，国望光学已经可以做到28纳米制程的投影物镜的小批量交付。

高端的duv光刻机投镜的面的精度要控制在2nm以内，euv光刻机反射镜的面精度要控制在0.12nm，国内的国望光学和腾景科技目前可以做到5nm的面精度，可以满足90nm到28nm制程的需求

工件台系统，华卓精科的双工件台已经成熟定位精度可以做到3nm，单工件台国内市场占有率已经超过70%

未来5年国产光刻机从跟跑到并跑转变的关键时期，核心任务一个是攻克14纳米的多重曝光技术，另一个就是要推进EUV光刻机的基础研究，到2028年要实现28纳米光刻机国产化率达到50%，推出14纳米制程的DUV光刻机，并且完成客户的验证和量产，到2030年希望能够推出7纳米制程的EUV光刻机的工程样机，并且完成客户的验证。攻克14纳米的多重曝光技术必须要把光刻胶的性能和对准精度优化到接近ASML的水平，EUV光刻机要建立起自己的供应链，包括跟国际上进行一些技术合作，再加上要完善国产光刻机的技术标准和售后服务体系等等，需要整个产业链协同创新才能够完成任务
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