据消息人士透露，中国科学家今年初在深圳一座高度保密的实验室，打造出一台极紫外光刻机（EUV）的原型机，目前正在测试阶段。这项被形容为中国的“曼哈顿计划”，目标是要让中国最终能够在完全自主研发的设备上制造先进晶片。 路透社星期四（12月18日）引述两名知情人士的消息报道，称这台原型机由荷兰半导体巨头阿斯麦（ASML）的前工程师团队，通过逆向工程开发而成。这台设备已经可以运作并成功产生极紫外光，但尚未生产出可用的晶片。    

计划在2028年前，利用国产极紫外光刻机，生产出可用的晶片。但接近这个项目的人士表示，要到2030年才能实现；这仍比分析师预估所需的10年时间提前几年。

知情人士指这个项目堪称中国的“曼哈顿计划”，后者是美国当年为研制原子弹而实施的战时计划。其中一位人士表示，“目标是让中国最终能够在完全自主研发的设备上制造先进晶片，并且将美国全面踢出中国的供应链。”

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