Intel 4 工艺（原称 Intel 7nm）在能效和性能上有所提升，但根据现有信息，**Intel 4 工艺的积热问题相对 AMD 的 Zen 4（台积电 5nm/4nm）或 Intel 自身的 10nm（Intel 7）工艺要轻一些**，主要原因如下：

### 1. **Intel 4 工艺优化了功耗和发热**
   - Intel 4 采用了 **EUV（极紫外光刻）** 技术，相比 Intel 7（10nm Enhanced SuperFin）进一步优化了晶体管密度和能效。
   - 该工艺在 **相同性能下功耗更低**，有助于减少积热问题。
   - Intel 的 CPU 设计传统上更注重 **高频性能**，因此 Intel 4 的架构优化了热传导，相比 AMD 的高密度设计，积热问题相对较轻。

### 2. **与 AMD Zen 4 积热问题的对比**
   - **AMD Zen 4** 采用台积电 5nm/4nm 工艺，由于 **高密度设计**（尤其是服务器芯片优化思路下移），导致 **热量集中在较小面积**，散热更难。
   - **Intel 4 的芯片布局更宽松**，计算单元和缓存分布更合理，有助于热量扩散。

### 3. **实际表现**
   - **Meteor Lake（酷睿 Ultra 系列）** 是首款采用 Intel 4 工艺的 CPU，实测显示：
     - **待机温度较低**（通常 30-40°C），不像 AMD Zen 4 那样容易维持 40-50°C 的待机温度。
     - **FPU 烤机时仍可能撞温度墙**（如 100°C），但相比 AMD Zen 4 的“秒黑”问题，Intel 4 的稳定性更好。
   - Intel 的 **钎焊导热（STIM）技术** 仍然优于 AMD 的非 APU 芯片（如 Ryzen 7000 系列），有助于更快散热。

### 4. **Intel 4 vs. 台积电 N3/N4（AMD Zen 5）**
   - **台积电 N3/N4 工艺（Zen 5）** 仍然存在积热问题，尤其是高频下能效倒退。
   - **Intel 4 的积热控制更好**，但 **极限负载（如 AVX-512 或 FPU 压力测试）仍可能高温**，只是不会像 AMD 那样“瞬间过热”。

### **结论**
Intel 4 工艺相比 AMD Zen 4 的积热问题较轻，主要得益于 **更宽松的芯片布局、优化的 EUV 工艺和更好的钎焊导热**。但在极端负载（如 FPU 烤机）下，仍可能撞温度墙，只是不会像 AMD 那样频繁触发过热保护。如果对比台积电 N3B（如苹果 A17 Pro），Intel 4 的积热表现更优。
【 在 mindcontrol 的大作中提到: 】
: b站有部分维修佬也是经常这么说
: 但是我看媒体统计是另外一个结果  
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