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发信人: vhdler (棒妈－2岁了，我不是小娃娃了), 信区: Intern
标  题: 中国科学院微电子研究所招收联合培养研究生
发信站: 水木社区 (Mon Feb  6 16:19:06 2017), 站内

工作地点:
中国科学院微电子所
薪金:
每月定额生活补助
研究方向:
集成电路设计&工艺联合优化
招聘岗位:
联合培养研究生

由于研究工作需要，本课题组诚招联合培养研究生2名，具体要求如下：
一、课题组研究方向及招聘要求：
集成电路设计&工艺联合优化
联合培养硕士研究生基本要求：
（1）学校在读硕士研究生、博士研究生，有科研经历者优先考虑；
（2）工作认真、踏实，具有集成电路设计、计算机科学、集成电路制造工艺相关专业背景者优先考虑；有编程经验者优先考虑（C/C++, Matlab, Tcl, Pearl, Python等）
（3）硕士联培时间为两年，博士联培时间为两年以上。
二、待遇：
（1）本实验室具备完备的集成电路设计&工艺联合优化的软硬件环境，可以为研究生提供自由宽松的研究环境及配套实验设施，有充分自由发挥的空间，有机会参与国家重大科技项目。
（2）对联培研究生提供科研津贴。

三、课题组长简介：
?韦亚一博士作为中组部第八批“千人计划”入选者，中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师。先后在美国能源部橡树岭国家实验室、美国英飞凌和安智公司纽约研发中心、美国格罗方德公司纽约研发中心（任职光刻部门经理）等工作。长期从事半导体光刻领域设备、材料和制程研发，先后参与或主持了从180nm到14nm节点的技术研发，取得了多项核心技术和丰硕成果，具有丰富的技术和管理经验。对半导体和纳米微制作、先进光刻、薄膜沉积、微测量理论和实践等有较深入的研究，有超过60篇的专业文献和多项美国专利。由于在193nm浸没式光刻技术上的开创性贡献，于2009年受SPIE邀请出版专著“Advanced processes for 193nm immersion lithography”；于2016年在科学出版社出版专著《超大规模集成电路先进光刻理论与应用》。作为项目负责人，主持国家02重大专项“300mm晶圆匀胶显影设备和光刻工艺研发”，主持“中芯国际-中科院微电子所14纳米项目产学研合作课题—光刻仿真优化和OPC光刻技术研究”。
研究领域：?集成电路设计&工艺联合优化，计算光刻，先进工艺节点光刻技术优化

四、申请方法：
感兴趣者请将申请材料（简历、主要研究经历等）发送至icac_hr@ime.ac.cn，投递简历请注明“联合培养招生”字样，申请材料恕不退还，我们承诺将对个人信息严格保密。
五、招收时间：
2017-2018年。
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