什么逻辑决定了finfet是基础研究？IEDM国际电子器件会议，是因为这个吗？有啥逻辑？
【 在 stars1986 的大作中提到: 】
: FinFET当然是基础研究，最早的文献出处：
: X. Huang, W-C. Lee, C. Kuo, D. Hisamoto, L. Chang, J. Kedzierski, E. Anderson, H. Takeuchi, Y-K. Choi, K. Asano, V. Subramanian, T-J. King, J. Bokor, C. Hu, “Sub 50-nm FinFET: PMOS,” IEDM Technical Digest, Washington, DC, pp. 67-70, December 5-8, 1999.
: 一作应该是他的博士生，中国人
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