临时小文件多的时候，操作系统会给 m2 固态硬盘喂多个队列的数据啊。。对应用程序来说，无论在 SSD 还是操作系统做缓存（队列），看到的响应时间都是一样的。

感觉是负优化。因为 nvme 协议本身是异步的。DRAM 缓存因为易失，只能选择 write-through 和 write-around 两种模式，它们都是为了提高写入后读的性能，而不能提高写性能。既不能降低延迟，也不能提高吞吐。

SLC 缓存和 DRAM 缓存就不一样了。写入到 SLC 缓存的数据已经持久化，主控可以返回写入完成的回应给操作系统。所谓的 wirte-back 缓存，极大提升写性能。

总之，DRAM 的使用场景很局限。与其花晶体管搞 DRAM，不如花晶体管搞 SLC 缓存。我还担心无良 SSD 主控乱来。性能差点无所谓，丢数据不能忍。

【 在 zyd (dd) 的大作中提到: 】
: 主控当然不能坑呀，然而几十年机械硬盘都这么过来了，缓存的机理已经成熟不能再成熟了。断电报错的机理早就在那里。
: 这个目的是提升系统反应和游戏之类的体验呀，主要是大量的临时的小文件，tlc写入会较慢，某些时候零点几秒的差异，会给用户带来很大的感受差别。反过来说即使很小概率断电出错，不过重启下游戏什么的就能解决。
: 在连续大量数据写入的时候，缓存当然就没用了。
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FROM 112.47.234.*

你还是没有理解这个的应用场景。
比如4k读写最常见就是游戏
那么数据写入dram比写入tlc快的多
写入dram后，还没有写入tlc，游戏里就可以进行下一步了，给玩家更少的等待时间和更流畅的游戏体验。
缓存到tlc出错是小概率事件，而且即使小概率发生了，也不是什么大事，游戏而已，一次没存上盘也无所谓，而且考虑可能百万次才有那么一次失误。

在硬盘里4k读写这项，就是和缓存相关的，测硬盘性能的都会测这个

【 在 hgoldfish 的大作中提到: 】
: 临时小文件多的时候，操作系统会给 m2 固态硬盘喂多个队列的数据啊。。对应用程序来说，无论在 SSD 还是操作系统做缓存（队列），看到的响应时间都是一样的。
: 感觉是负优化。因为 nvme 协议本身是异步的。DRAM 缓存因为易失，只能选择 write-through 和 write-around 两种模式，它们都是为了提高写入后读的性能，而不能提高写性能。既不能降低延迟，也不能提高吞吐。
: SLC 缓存和 DRAM 缓存就不一样了。写入到 SLC 缓存的数据已经持久化，主控可以返回写入完成的回应给操作系统。所谓的 wirte-back 缓存，极大提升写性能。
: ...................
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修改:zyd FROM 171.88.28.*
FROM 171.88.28.*

dram有电池的情况下为啥你要觉得不靠谱啊？
【 在 hgoldfish 的大作中提到: 】
: 写入 DRAM 的数据不保险啊。
: 如果真的有 SSD 是通过把数据写入 DRAM 来提高写入性能的，恐怕很不靠谱。就算有电池，我也觉得不靠谱。
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FROM 49.94.34.*

终于有人说到点上了
除了flushNVMe命令有个标志位叫Force Unit Access，表示这个操作一定要写入非易失部分才能返回结果
【 在 abadcafe 的大作中提到: 】
: 从hdd时代就在使用dram cache了.
: 另外sata/scsi指令都有相应的指令可以flush cache, barrier中都调用了相应的flush cache指令, 所以不用担心.
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FROM 114.252.211.*

海康威视 c2000 pro 2t 1500不到，比这个值多了

【 在 syr 的大作中提到: 】
: SanDisk现在算主流SSD厂商吗？
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