- 主题:再问一个SSD干货问题
那为什么14nm的NAND颗粒寿命感觉比原来19nm还要好,现在1T的固态基本都是600TBW寿命以上,这600还是保修的寿命,实际寿命应该比1000TBW还要高吧
【 在 tsa300 的大作中提到: 】
: 现在nand颗粒基本都是14nm的
: 三星970pro用的40nm MLC颗粒
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FROM 111.192.177.*
多加点儿冗余颗粒
【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 那为什么14nm的NAND颗粒寿命感觉比原来19nm还要好,现在1T的固态基本都是600TBW寿命以上,这600还是保修的寿命,实际寿命应该比1000TBW还要高吧
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FROM 111.201.129.*
更好的纠错算法，允许更高的误码率
【 在 myspam (mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆) 的大作中提到: 】
: 那为什么14nm的NAND颗粒寿命感觉比原来19nm还要好,现在1T的固态基本都是600TBW寿命以上,这600还是保修的寿命,实际寿命应该比1000TBW还要高吧
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FROM 123.113.184.*
嗯,看过一些参数,用好算法比普通U盘算法寿命一下强了10倍
【 在 conn 的大作中提到: 】
: 更好的纠错算法，允许更高的误码率
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FROM 111.192.177.*
是的，那些有冷数据降速问题的ssd，后来都是后台刷新冷数据，用寿命换性能
【 在 myspam (mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆) 的大作中提到: 】
: 漏电多,是不是要更多次写入数据,防止它电子太少(丢数据)啊? 是间接的让寿命变差吧
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FROM 119.131.204.*
NVME的固态听说冷数据问题好非常非常多,NVME固态是怎么解决这问题的? 按说都是差不多的NAND颗粒啊,应该一样啊.
【 在 iMx 的大作中提到: 】
: 是的，那些有冷数据降速问题的ssd，后来都是后台刷新冷数据，用寿命换性能
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修改:myspam FROM 111.192.187.*
FROM 111.192.187.*
西数NVME一样爆这个问题，不觉得好多少
【 在 myspam (mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆) 的大作中提到: 】
: NVME的固态听说冷数据问题好非常非常多,NVME固态是怎么解决这问题的? 按说都是差不多的NAND颗粒啊,应该一样啊.
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FROM 119.131.204.*
三星的NVME没有这问题吗?
【 在 iMx 的大作中提到: 】
: 西数NVME一样爆这个问题，不觉得好多少
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FROM 111.192.187.*
后来我仔细一想, 那同样是14nm TLC QLC会保存电荷位置的大小不一样吗?
【 在 tsa300 的大作中提到: 】
: nand flash是用浮动栅极的氧化层锁住电子来保持数据，制程越细密，氧化层越薄，里面锁的电子当然也少，所以随着制程演进，擦写寿命是越来越拉胯的
: 当然比特数还在增加，SLC MLC TLC QLC ，这个是数量级拉胯的
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FROM 111.192.180.*
关键就是看区块的擦写次数。基本上是折半。SLC是1万，MLC是3000，TLC是1500。
而且要考虑写入放大。
以上都是理论，实际还要考虑主控将数据均分和挪动的算法。
【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 为什么NAND颗粒晶体管间距大了会更稳定,寿命更好,原来几十层的TLC现在都100多层的TLC了,感觉比原来一些早期的MLC还要寿命长点
: 原来都是平面工艺MLC那个年代一堆人说19nm寿命肯定比14nm好,原理是什么
: 回答干货和提问技术问题一般都没人回,我只是想打破魔咒
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FROM 180.164.48.*