就是不懂为什么SLC是1万MLC怎么一下减到3000了
【 在 ackerx 的大作中提到: 】
: 关键就是看区块的擦写次数。基本上是折半。SLC是1万，MLC是3000，TLC是1500。
: 而且要考虑写入放大。
: 以上都是理论，实际还要考虑主控将数据均分和挪动的算法。
: ...................
--
FROM 111.192.180.*

可能是MLC一个要写2回,TLC一个要写入3回,所以寿命差吧? 不过我看的那个英文的资料也是转载的,不知道出处是否权威,原文写了一堆怎么判断电压,电子在什么什么范围内的的算法,如果超过不同算法设的不同参数值了,就刷新或别的方法处理一下,防止丢数据或数据乱了,当时也没保存现在找不到了

【 在 ackerx 的大作中提到: 】
: 在这个方面，我理解xLC对应的所有“物理格子”都是类似的。不存在slc比qlc的物理条件更特殊的情况。只是slc的一个“格子”只用于表示0或者1，而qlc一个格子需要表示16种状态。因此在相同制程下，slc比qlc更好控制电压。
:
:
--
FROM 111.192.180.*

那要是按这种原理,MLC长时间不通电性能变差,会明显比TLC强很多吧,前段时间的半年不用固态三星西数等性能下降帖子

【 在 iMx 的大作中提到: 】
: MLC，TLC不是写2回写3回
: 是将电压分成2^2和2^8个不同区间，MLC比TLC对扰动更健壮
:
: ...................
--
FROM 111.192.180.*

反正现在NAND变成3D工艺以后,就不是原来的SLC 1万次  MLC 3000次    TLC 1000次  这种寿命了,我看各家都不太一样,可能有公司是优化寿命,有的是更喜欢优化性能寿命少一点也没事
我上回好不容易找一个NAND的参数表,当时没保存后来再也找不着了,好像是东芝颗粒的详细参数,不同算法下的不同寿命,还有一堆别的参数,这种东西日本的公司特别专业,都把所有的参数写的很详细,机械硬盘的抗震参数都一下给你5个还是6个,不同强度不同频率下的全给,别的硬盘公司最多给你一个二个,多数根本不给你

【 在 Akyrum 的大作中提到: 】
: 西数SN640容量7.68T能把耐久标到11000TBW，它是什么颗粒，算术除得写入次数>1400
--
修改:myspam FROM 111.192.182.*
FROM 111.192.182.*

970pro的时候已经14nm了，980pro是128层8nm制程

【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 最新的三星固态也全14nm了吧?
:
--
FROM 111.201.130.*