- 主题:再问一个SSD干货问题
并不是尝试多次写入造成寿命损失
是一个单元格状态数多了，测量敏感
SLC能写1万次，格子写的破破烂烂才分辨不出是0是1
MLC是写到3千次，格子半破就无法分辨内容了
TLC写1千次，格子物理上说还比较新，但已经分辨不出8种状态了
【 在 ackerx 的大作中提到: 】
: 在这个方面，我理解xLC对应的所有“物理格子”都是类似的。不存在slc比qlc的物理条件更特殊的情况。只是slc的一个“格子”只用于表示0或者1，而qlc一个格子需要表示16种状态。因此在相同制程下，slc比qlc更好控制电压。
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FROM 101.24.90.*
好多NVME固态1T的全是一个NAND颗粒,TBW是600T
【 在 fanjiyouyi 的大作中提到: 】
: 你想多了
: 新制程颗粒寿命短是肯定的
: 老盘容量小，100GB盘，可写次数3000次的话，也就300TBW不到
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FROM 111.192.181.*
新制程mlc是1千次
【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 好多NVME固态1T的全是一个NAND颗粒,TBW是600T
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FROM 101.24.90.*
你是说更小的nm寿命就更少吧
【 在 fanjiyouyi 的大作中提到: 】
: 新制程mlc是1千次
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FROM 111.192.181.*
有道理。那岂不是可以搞种技术，在TLC烂的时候变成MLC，再变成SLC来用。哈哈。
【 在 fanjiyouyi 的大作中提到: 】
: 并不是尝试多次写入造成寿命损失
: 是一个单元格状态数多了，测量敏感
: SLC能写1万次，格子写的破破烂烂才分辨不出是0是1
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FROM 222.68.18.*
SLC能写10万次，MLC一万次，TLC一千次
【 在 fanjiyouyi 的大作中提到: 】
: 并不是尝试多次写入造成寿命损失
: 是一个单元格状态数多了，测量敏感
: SLC能写1万次，格子写的破破烂烂才分辨不出是0是1
: ...................
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FROM 123.126.43.*
每单元擦写寿命 SLC 10万次，MLC 1万次，TLC 1000次
【 在 ackerx 的大作中提到: 】
: 关键就是看区块的擦写次数。基本上是折半。SLC是1万，MLC是3000，TLC是1500。
: 而且要考虑写入放大。
: 以上都是理论，实际还要考虑主控将数据均分和挪动的算法。
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FROM 123.126.43.*
那还不如大力研发傲腾,解决所有问题,傲腾本来应该是成本很低的东西,不垄断就可以降价了
【 在 ackerx 的大作中提到: 】
: 有道理。那岂不是可以搞种技术，在TLC烂的时候变成MLC，再变成SLC来用。哈哈。
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FROM 111.192.181.*
用除法得不到真正的每单元擦写寿命
ssd内部有缓存，还有冗余颗粒，容量越大冗余颗粒也越多。
另外设计上可以通过牺牲其他特性来增加擦写寿命，比如缩短数据保持时间，增加擦写次数等等。
也可以让实际用法有很大影响，某些ssd 顺序写入可以比随机写入高几倍的擦写寿命，宣传擦写寿命的时候可以取它喜欢的那个值（你猜厂商会选哪种？），厚道的用小字标一下测试条件，什么也不写你也没辙，顶多用除法算出个数来不知所云。。。。
【 在 Akyrum 的大作中提到: 】
: 西数SN640容量7.68T能把耐久标到11000TBW，它是什么颗粒，算术除得写入次数>1400
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FROM 123.126.43.*
断电保持数据时间和制程、每单元比特数（SLC vs MLC vs TLC etc)有直接关系，实际上就是浮动栅极里被氧化层锁住的电子一直在慢慢漏掉，每单元比特数越多，漏电对保持数据造成的影响越明显
90nm SLC 能断电保持数据10年，MLC 1年左右，TLC 两三个月
长时间不通道导致性能变差是主控在后台拼命复制搬移数据，给漏电漏差不多的数据续命。现在ssd的主控一直监视颗粒的数据完整性，察觉漏差不多了就赶紧复制一下。正常情况下用户不会有感知，但断电很久，很多颗粒都急着续命，用户就发现ssd性能掉下去了。
【 在 myspam 的大作中提到: 】
: 那要是按这种原理,MLC长时间不通电性能变差,会明显比TLC强很多吧,前段时间的半年不用固态三星西数等性能下降帖子
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FROM 123.126.43.*