后来我仔细一想, 那同样是14nm TLC QLC会保存电荷位置的大小不一样吗?

【 在 tsa300 的大作中提到: 】
: nand flash是用浮动栅极的氧化层锁住电子来保持数据，制程越细密，氧化层越薄，里面锁的电子当然也少，所以随着制程演进，擦写寿命是越来越拉胯的
: 当然比特数还在增加，SLC MLC TLC QLC ，这个是数量级拉胯的
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