- 主题:特斯拉用sic是因为技术水平低
早期特斯拉功率逆变器密度搞不定，不得己冒险使用650v碳化硅器件，这个等级的碳化硅Mos对igbt没有优势，当时主流厂家对特斯拉不屑，所以只有ST这样的末流给特斯拉干，现在ST的技术水平还落后英飞凌两代。
650v这个等级最高技术水平是用GaN，下来是iGBT，现在发展到1200V系统，igbt就不太好了，这个时候就要用Sic Mos了。
目前从特性看，1200V这个等级的sic mos价格很快要低于igbt。Sic Mos比igbt有几个主要好处：
1 可靠性远高于igbt
2 损耗比igbt低80％
3 高低温特性优于igbt
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FROM 222.90.176.*
哦
【 在 goodpower 的大作中提到: 】
: 早期特斯拉功率逆变器密度搞不定，不得己冒险使用650v碳化硅器件，这个等级的碳化硅Mos对igbt没有优势，当时主流厂家对特斯拉不屑，所以只有ST这样的末流给特斯拉干，现在ST的技术水平还落后英飞凌两代。
: 650v这个等级最高技术水平是用GaN，下来是iGBT，现在发展到1200V系统，igbt就不太好了，这个时候就要用Sic Mos了。
: 目前从特性看，1200V这个等级的sic mos价格很快要低于igbt。Sic Mos比igbt有几个主要好处：
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FROM 125.33.204.*
【 在 goodpower 的大作中提到: 】
: 早期特斯拉功率逆变器密度搞不定，不得己冒险使用650v碳化硅器件，这个等级的碳化硅Mos对igbt没有优势，当时主流厂家对特斯拉不屑，所以只有ST这样的末流给特斯拉干，现在ST的技术水平还落后英飞凌两代。
: 650v这个等级最高技术水平是用GaN，下来是iGBT，现在发展到1200V系统，igbt就不太好了，这个时候就要用Sic Mos了。
: 目前从特性看，1200V这个等级的sic mos价格很快要低于igbt。Sic Mos比igbt有几个主要好处：
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以前的model X和S用的什么功率器件呢
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FROM 123.120.7.*
嗯，特斯拉水平不如你
【 在 goodpower 的大作中提到: 】
: 早期特斯拉功率逆变器密度搞不定，不得己冒险使用650v碳化硅器件，这个等级的碳化硅Mos对igbt没有优势，当时主流厂家对特斯拉不屑，所以只有ST这样的末流给特斯拉干，现在ST的技术水平还落后英飞凌两代。
: 650v这个等级最高技术水平是用GaN，下来是iGBT，现在发展到1200V系统，igbt就不太好了，这个时候就要用Sic Mos了。
: 目前从特性看，1200V这个等级的sic mos价格很快要低于igbt。Sic Mos比igbt有几个主要好处：
: ...................
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FROM 117.135.82.*
高端才用的起碳化硅，虽然省出来的电可能覆盖不了器件成本
【 在 goodpower 的大作中提到: 】
: 早期特斯拉功率逆变器密度搞不定，不得己冒险使用650v碳化硅器件，这个等级的碳化硅Mos对igbt没有优势，当时主流厂家对特斯拉不屑，所以只有ST这样的末流给特斯拉干，现在ST的技术水平还落后英飞凌两代。
: 650v这个等级最高技术水平是用GaN，下来是iGBT，现在发展到1200V系统，igbt就不太好了，这个时候就要用Sic Mos了。
: 目前从特性看，1200V这个等级的sic mos价格很快要低于igbt。Sic Mos比igbt有几个主要好处：
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FROM 183.14.133.143
IGBT是趋势，现在很火
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FROM 222.72.250.*
SIC才是趋势
【 在 nuoya123 的大作中提到: 】
: IGBT是趋势，现在很火
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发自「今日水木 on PCT-AL10」
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FROM 106.121.67.*
IGBT是器件的一种形式，兄弟！现在有SiC IGBT。IGBT有传统Si做的，现在最新的比较火的是SiC IGBT
【 在 ncutyangxz 的大作中提到: 】
: SIC才是趋势
: 发自「今日水木 on PCT-AL10」
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FROM 222.72.250.*
很显然不是搞不定，而是成本控制。采用3/4 pin 的单管，电流20A左右，而不采用电流密度稍小但电流大很多（300A及以上）的封装大模块，因为这样占用空间大，成本高，哪怕安全性可靠性方面甩出单管几条街。
【 在 iyama 的大作中提到: 】
: 嗯，特斯拉水平不如你
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发自「今日水木 on PCT-AL10」
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FROM 106.121.67.*
行业从业8年。一般说IGBT都指硅基，SIC都是单独拎出说。SIC的工艺与制造，国内开发相对还是弱，虽然大家一直在说其优势。
中车现在产能都4万片的IGBT/FRD了，和BYD相比也差不了太大了吧，但SIC几乎没动静。
【 在 nuoya123 的大作中提到: 】
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: IGBT是器件的一种形式，兄弟！现在有SiC IGBT。IGBT有传统Si做的，现在最新的比较火的是SiC IGBT
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发自「今日水木 on PCT-AL10」
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FROM 106.121.67.*