- 主题:电压高省电的原因
是不是p=ui
p一样，u大就i小
q=i2R
i小，能量损失就小
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修改:fengwudian FROM 223.104.42.*
FROM 223.104.42.*
有电压高省电的科学依据吗？
我还觉得北汽110V的电池挺省电呢。
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FROM 124.64.221.*
这是初中物理吧。
【 在 fengwudian 的大作中提到: 】
: 是不是p=uip一样，u大就i小q=i2Ri小，能量损失就小 ...
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FROM 58.41.79.*
在那个“分享一个800v续航实测”帖子已经说过很多遍了，单纯的800V不能带来可见的续航提升
电机不是电阻，发热也不能用这公式来算
【 在 fengwudian 的大作中提到: 】
: 是不是p=uip一样，u大就i小q=i2Ri小，能量损失就小 ...
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FROM 221.192.178.*
高压输电，减少供电线能量损耗
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FROM 114.254.10.*
原理是这个
【 在 fengwudian 的大作中提到: 】
: 是不是p=ui
: p一样，u大就i小
: q=i2R
: ...................
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FROM 221.216.116.*
得到了它
【 在 fengwudian 的大作中提到: 】
: 是不是p=ui
: p一样，u大就i小
: q=i2R
: ...................
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FROM 175.160.220.21
800V平台使用SiC MOSFET代替IGBT，开关损耗比IGBT小，在高转速下效率有优势。400V平台用SiC也会有类似效果。
【 在 fengwudian 的大作中提到: 】
: 是不是p=uip一样，u大就i小q=i2Ri小，能量损失就小 ...
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FROM 223.104.41.*
400V用SiC优势不大吧
【 在 i925XE 的大作中提到: 】
: 800V平台使用SiC MOSFET代替IGBT，开关损耗比IGBT小，在高转速下效率有优势。400V平台用SiC也会有类似效果。
:
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FROM 114.220.197.*
【 在 fengwudian 的大作中提到: 】
: 是不是p=ui
: p一样，u大就i小
没问题
: q=i2R
只对阻性电路适用，电阻全用来发热，如电灯泡、电阻丝那种电炉；对感性器件不等价，电流大部分Imain用来做工，少量Irest用来发热。Irest在800v或400v分别是多少，才知道热损差异多大。直接套用焦耳定律是不对的。
: ...................
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FROM 114.254.1.*