怎么可能，SiC明显要贵的好吧。
【 在 lookatjane 的大作中提到: 】
: 便宜
: - 来自「最水木 for iPhone Xr」
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FROM 106.38.97.*

?泥潭好歹水木啊

SiC 想必IGBT，最大优点是内阻低，损耗小啊...
做成电控，同样电压电流， 损耗至少小30%起

电控耗能一般总能量10%-15%

少30%就是3%的电量起，只换电控续航可以增加接近3%

【 在 gerry9503 (只是过客) 的大作中提到: 】
: 我记得之前好像有公众号吹过这玩意，但是具体有多大优势，我没感觉到。
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FROM 114.241.254.*

你这就是个典型的误解…
低电流情况下sic的mosfet比IGBT压降略低，但是大电流下IGBT内阻低的多
另外除了你理解的内阻损耗，还有很大一部分损耗来源是器件开关过程的动态损耗，这个和工作频率相关

至于最终电控的整体损耗根本不会差很多，工程师不会故意用sic mos去强行做大电流或者用IGBT做超高频

【 在 withu 的大作中提到: 】
: ?泥潭好歹水木啊
: SiC 想必IGBT，最大优点是内阻低，损耗小啊...
: 做成电控，同样电压电流， 损耗至少小30%起
: ...................
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FROM 221.223.66.*

高频和转速没关系，这个是载波频率。几k几十k。
和电机转速有关的是调制波，变频器400Hz对应电机转速就是个天文数字了。

【 在 zhangxy11 (无语冷气) 的大作中提到: 】
: IGBT和mosfet是功率器件的分类，igbt要比mosfet更适合与大功率应用，可以认为IGBT>MOSFET
: 但是器件的基底有Si、SiC、GaN，SiC这种宽禁带基底比Si基具有工作温度高、绝缘能力强等更优秀的性质，可以认为SiC>Si
: 但是受限于目前的材料工艺，只有Si才能做IGBT，SiC最多做个MOS、二极管这种。所以现在行业里面临SiC的MOSFET和Si的IGBT两种选择……板上就直接简称为SiC和IGBT了
: ...................
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FROM 36.45.170.*

SiC MOSFET性能上肯定是优于Si IGBT的，主要是高压器件性能更好，低压器件优势不明显。电气性能基本可以说全面优于Si IGBT。是下一代功率半导体。
但是，在当前的450V左右的电池电压系统中，一般采用750V耐压的器件，这个电压等级SiC MOSFET，和Si IGBT性能差异不大，很小。
SiC商用目前的问题主要有两个吧，
一个是价格高，很高，主要还是6英寸工艺，预计会在2025年能达到更优的性价比，并实现更大规模的应用。目前大多数车企都在会在SiC上投入研发。
另外一个是可能性封装可能有问题，SiC的杨氏模量更大，传统封装工艺下预期寿命不高，这个问题其实也不大，有很多办法解决。
特斯拉的谣传很大可能是真的，降成本，基本不怎么影响性能。这个消息来源于供应链。
特斯拉和汉EV用SiC噱头的意义更大。性能提升很小。未来800V高压采用1200V模块用SiC的性能会更有实用意义。
汉EV的策略其实很好，毕竟后驱实际使用应力低，避免寿命问题。同时更早的积累SiC实际应用的经验。还能制造噱头。
特斯拉的不了解具体配置。
【 在 LiYingReBa 的大作中提到: 】
: 除了汉和model3
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FROM 223.104.3.*