- 主题:[求助]请教各位一个工艺问题
划片后可以贴在大的晶圆上放入腔室。ICP-CVD设备沉积温度能控制在100摄氏度以内，可以了解一下
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FROM 223.72.46.*
这是die/封装一级的问题，为什么都推荐用thin film的解决方案。。。
die 划完会有各式各样的cracking line， 啥thin film长完也cover不好啊
话说100C的CVD的quality和DR应该是挺惨不忍睹的 ：P
【 在 marxsemi 的大作中提到: 】
: 划片后可以贴在大的晶圆上放入腔室。ICP-CVD设备沉积温度能控制在100摄氏度以内，可以了解一下
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划片考虑用冷激光划片，如果不太整齐，立起来用mcp对侧壁进行修型
侧壁生长氧化层是为了在侧壁生长金属线（不是TSV工艺），总的厚度要控制在100um以内
sog和低温CVD都可以考虑，等我搞点经费试验下摸摸底
【 在 dxg2000 的大作中提到: 】
: 现在想把划完片的芯片侧面进行氧化或者钝化，有什么方法可以解决吗
: 如果可能的话，芯片背面也进行氧化或者钝化
: 谢谢啦
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FROM 124.126.7.*
可以翻过来，把侧面和背面都氧化了
【 在 marxsemi 的大作中提到: 】
: 划片后可以贴在大的晶圆上放入腔室。ICP-CVD设备沉积温度能控制在100摄氏度以内，可以了解一下
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FROM 124.126.7.*
能不能用臭氧和氧气的PLASMA，这样低温就能快速氧化。
【 在 dxg2000 的大作中提到: 】
: \[累计积分奖励: 100/0\]
: 现在想把划完片的芯片侧面进行氧化或者钝化，有什么方法可以解决吗
: 如果可能的话，芯片背面也进行氧化或者钝化
: 谢谢啦
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发自「今日水木 on HMA-AL00」
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