Nand flash美帝早已经盖到128层了


你能想到的，美帝早想到了

【 在 ann1122 的大作中提到: 】
: 美帝在芯片里盖平房，每两年容积率翻一番。那我们就盖楼房，那怕单层容积率每四年翻一番，只要盖三层以上楼房，总容积率增长速度就超过美帝了。为什么其他人都没想到这点呢？
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我说的是逻辑芯片，不是你自以为是的存储芯片
【 在 jocusperrin 的大作中提到: 】
: Nand flash美帝早已经盖到128层了
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: 你能想到的，美帝早想到了

来自 NOH-AN00
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NAND DRAM早都是3D结构了 前者奔着196层去了
最新的2nm logic工艺也是3D的

吹NB之前先去调研一下

【 在 ann1122 的大作中提到: 】
: 美帝在芯片里盖平房，每两年容积率翻一番。那我们就盖楼房，那怕单层容积率每四年翻一番，只要盖三层以上楼房，总容积率增长速度就超过美帝了。为什么其他人都没想到这点呢？
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你把逻辑芯片堆叠起来的目的是什么呢？
要实现设计的功能需要的逻辑管字数量不会因为你堆叠了就变少。同样多的管子堆叠起来散热就不好了，因为表面积小了。而且同样多的管子显然做在同一层上成本更低。
存储芯片里面是用管子做存储的，逻辑相对来说较为简单。走线相对简单。因此需要的管子层较多，而走线层较少，存储芯片单层的散热也不大。如果不堆叠会导致面积过大无法封装成大容量颗粒，并且最远的存储管到IO的距离过远，速度无法提高。存储芯片做堆叠即可以提高速度也可以减小封装还没有散热问题。
逻辑芯片通常走线复杂需要较多金属层，一层管子层对应7～9层是常见的。在金属层上面再做衬底就困难了，而多层衬底放在一起，下层的衬底又很难链接金属层
【 在 ann1122 的大作中提到: 】
: 恰恰相反，恐怕不是逻辑芯片没用管芯堆叠没有道理，而是存储芯片发展最快，走在前面先用上了。  
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: 来自 NOH-AN00  
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发自「今日水木 on CLT-AL00」
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好处很多，一是能提高芯片容积率，二是可以异构集成，三是可以近存储处理，四是能打穿存储墙，五是可以增加数据传输带宽。

当然克服的困难不少，但毕竟利益极大，没有天上掉馅饼的事。
【 在 jumbonb 的大作中提到: 】
: 你把逻辑芯片堆叠起来的目的是什么呢？
: 要实现设计的功能需要的逻辑管字数量不会因为你堆叠了就变少。同样多的管子堆叠起来散热就不好了，因为表面积小了。而且同样多的管子显然做在同一层上成本更低。
: 存储芯片里面是用管子做存储的，逻辑相对来说较为简单。走线相对简单。因此需要的管子层较多，而走线层较少，存储芯片单层的散热也不大。如果不堆叠会导致面积过大无法封装成大容量颗粒，并且最远的存储管到IO的距离过远，速度无法提高。存储芯片做堆叠即可以提高速度也可以减小封装还没有散热问题。
: 逻辑芯片通常走线复杂需要较多金属层，一层管子层对应7～9层是常见的。在金属层上面再做衬底就困难了，而多层衬底放在一起，下层的衬底又很难链接金属层

来自 NOH-AN00
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