【 以下文字转载自 ITExpress 讨论区 】
发信人: Zinux (Zinux), 信区: ITExpress
标 题: 外置同步辐射光源+简化光刻机的可行性及成本分析
发信站: 水木社区 (Fri Sep 8 22:45:29 2023), 站内
同步辐射光源系统构想见:
https://www.newsmth.net/nForum/#!article/ITExpress/2481975
网上又找到一个同步辐射光源SRL+自由电子激光FEL构建EUV光源的可能实现
2019年12月的Ryukou Kato的《Demonstration of high-repetition FEL using cERL and beyond EUV-FEL》
主要内容:
1、现有同步辐射光源SRL+FEL可以产生13.5nm的EUV光源,但能量转化率只有千分之一左右
2、可尝试漏斗形FEL或者能量回收来提高能量转换率,此作者选择后则,目标是提高至10%
3、能量回收的EUV-FEL原型约200米x20米,可建于Fab地下
现在ASML的LPP方式是200千瓦的二氧化碳激光去轰击锡滴来产生300瓦的EUV,转换率约300/200000=0.15%,物镜系统的有效率是6瓦/300瓦=2%。
当前针对5nm制程的ASML EUV单价约10亿元,下一代针对3nm制程的ASML High NA EUV的功耗增加30%,售价25亿元。
暂不考虑未实现的能量回收版的高效SRL+FEL,仍以现有的能量转换率不到千分之一的原始版SRL+FEL为例,估算简化版的EUV单价和整体拥有成本TCO。光刻机寿命按10年估算。
怀柔在建的同步辐射光源HEPS投资48亿
新建一个SRL+FEL,暂按50亿算,实际工业用不需要研究设备,造价应该低不少。
假设可供10台EUV使用,每台平摊5亿。
简化版EUV省了光源和复杂物镜,假设单价5亿。
每台简化版EUV的成本=5亿+5亿=10亿。
再估算一下年运营成本:
假设SRL+FEL产生13.5nm EUV光源的能量转换率为0.075%,是ASML的50%
简化光刻机减少了内部光路,降低设计精度,此外增加光源厂至光刻机的传输,假设整体有效率是ASML的10%,即0.2%
综合下来,原始SRL+FEL的效率是ASML EUV的50%x10%=5%
与ASML EUV相比:
那么原来ASML光源需要200千瓦输入,SRL+FEL需要200x20=4000千瓦,增加了3800千瓦
每台光刻机每年新增电费=3800kW*24小时*300天*0.32元/度(北京工业电价)=975万元
整体拥有成本增加5亿+5亿+975万元x10年-10亿=9750万元
再考虑ASML内部复杂光源+复杂物镜的日常维护成本,怀疑简化版EUV的整体拥有成本可能更低。
与下一代ASML High NA EUV相比:
简版光刻机+SRL+FEL的整体成本不变,只是FEL从13.5nm调到8nm,单台成本还是10亿。
额外新增功率=4000千瓦 - ASML High NA的200千瓦x130% = 3740千瓦
每台光刻机每年新增电费=3740kW*24小时*300天*0.32元/度=862万元
整体拥有成本降低25亿-5亿-5亿-862万x10年=14.1亿元
附件(2.1MB) Demonstration_of_high-repetition_FEL.pdf--
FROM 123.114.90.*