- 主题:请问，为什么纯si不导电，掺杂后导电？比如p
那你可以这么认为吧，纯si电阻率跟pn结结区耗尽层电阻率，差不多
但是耗尽层非常窄，随着正向电压增加，宽度进一步变窄，电阻进一步变小
【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 你这说法我赞同。
: 就说纯si电阻率跟pn结结区耗尽层电阻率差不多。
: 一个问题一个来：：： "外加电压可以消除内建电势差，此时结区仍没有自由电子，耗尽层还在！那里。此时为什么电子能进入耗尽...
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FROM 183.220.91.*
电阻不可比，电阻率可比。电阻率是不是si略大更不导电？
【 在 zuigao 的大作中提到: 】
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那你可以这么认为吧，纯si电阻率跟pn结结区耗尽层电阻率，差不多
但是耗尽层非常窄，随着正向电压增加，宽度进一步变窄...
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FROM 106.121.225.*
耗尽是相对于掺杂层来说的，耗尽层中载流子总浓度最低的地方等于纯硅，其它地方是更高
【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 电阻不可比，电阻率可比。电阻率是不是si略大更不导电？
: 那你可以这么认为吧，纯si电阻率跟pn结结区耗尽层电阻率，差不多
: 但是耗尽层非常窄，随着正向电压增加，宽度进一步变窄...
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FROM 182.84.195.*
好。不过我怀疑载流子最低的地方导电率略高于si，因为掺杂后造成缺陷，掺杂原子质子数不同可能对电子的吸引力不同。
【 在 flameblue 的大作中提到: 】
: 耗尽是相对于掺杂层来说的，耗尽层中载流子总浓度最低的地方等于纯硅，其它地方是更高
【 在 guoqingjie 的大作...
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FROM 219.236.122.*
对于载流子密度相同的情况，由于电离杂质对载流子的散射作用，掺杂半导体的电阻会比纯硅更大。
不过没必要对pn结对讨论这个，耗尽层里只是刚好界面那个位置载流子浓度跟纯硅一样，整个耗尽层平均浓度是大得多的。
把pn结当做电阻来讨论，有点跑偏了。更应该关心的是它的势垒高度，耗尽层宽度，最大电场，结电容等等。
【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 好。不过我怀疑载流子最低的地方导电率略高于si，因为掺杂后造成缺陷，掺杂原子质子数不同可能对电子的吸引力不同。
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FROM 182.84.195.*
从固体物理的角度讲，绝缘体是正向反向电荷流动抵消了，所以没有电流，而导体的自由电子的流动抵消不了，形成电流
【 在 ericking0 的大作中提到: 】
: 刚才solidton6老兄已经说了，电流并不是电子的流动，
: 不是电池负极怼进去一个电子，然后在半导体里面跑一圈然后回到电池正级；
: 用形象但是不准确的描述来说，电流其实是一路上的所有电荷在电场的作用下手牵手往
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FROM 72.219.128.*
所谓绝缘体也都是有限制的，电压足够高都能击穿。
换句话说，能势只要突破材料的门限就能推动电子移动。
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FROM 124.127.221.*