因为书上不讲那么细，所以不看书。
为什么要载流子浓度梯度？si外部的铝里面有很多自由电子，都可以进si，如果si可以进的话。
pn结的耗尽层外部也有载流子，就能进去。
始终没有人解释这俩有什么不同。
【 在 flameblue 的大作中提到: 】
: 纯Si里面哪有载流子的浓度梯度？
: 你这样问太零碎了，看书两小时，胜过你在这里问两天。
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FROM 103.72.113.*

你还提到铝，这又涉及到金半接触，这里也有耗尽层，也有电场，比pn结还复杂

【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 因为书上不讲那么细，所以不看书。
: 为什么要载流子浓度梯度？si外部的铝里面有很多自由电子，都可以进si，如果si可以进的话。
: pn结的耗尽层外部也有载流子，就能进去。
: ...................
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FROM 111.75.210.*

  八电子结构的不都是稀有气体吗

【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 看了个小视频，说纯si形成了八电子的外层电子，电池里的电子不能进入半导体，不能穿过半导体，所以没有电流。
: 掺杂后，p外层缺一个电子，电池里电子能进去，所以能导电。
: 奇怪，p在si的包围圈里，电子怎么进去？如果能进去，为什么进不去纯si？
: ...................
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FROM 117.65.211.*

一个问题一个来：：： "外加电压可以消除内建电势差，此时结区仍没有自由电子，耗尽层还在！那里。此时为什么电子能进入耗尽层而不能进入纯si？"

先回答这一个

耗尽层没有自由电子，电子确实可以进入耗尽层，因为耗尽层很窄，几十nm，穿过耗尽层后，就进入有自由电子的N/P层，自由流动了

你的问题“为什么电子不能进入纯si？", 答案是电子也可以进入纯si，但是纯si的长度很长啊，假设1mm，电子进入纯si后，得穿过1mm的区域，不像电子进入耗尽层，只需要穿越 10nm的长度

当然，穿越 10nm 的耗尽层 远比 1mm的纯si容易  



【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 你这句话我不能理解：只有外加电压大于内建电势差，电阻才小，这时候耗尽层没有了。
: 外加电压可以消除内建电势差，此时结区仍没有自由电子，耗尽层还在！那里。此时为什么电子能进入耗尽层而不能进入纯si？
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FROM 183.220.91.*

知道。这个是工科常识。扩展一下，电子的速度和电子宏观上定向移动速度也不同。
【 在 lovelyroy 的大作中提到: 】
: 你知道电的速度和电子的速度是不同的吗。。。  
  
【 在 guoqingjie (我是中国人我爱自己的祖国) 的大作...
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FROM 106.121.70.*