你这句话我不能理解：只有外加电压大于内建电势差，电阻才小，这时候耗尽层没有了。
外加电压可以消除内建电势差，此时结区仍没有自由电子，耗尽层还在！那里。此时为什么电子能进入耗尽层而不能进入纯si？
【 在 flameblue 的大作中提到: 】
: 你所说的pn结内没有载流子的电阻，就是加反向电压的情况，这时候电阻很大的。正向偏压情况下，如果电压小于内建电势差，电阻也...
--
FROM 219.236.122.*

我也觉得能进入si但是不一定进入很深。
消除耗尽层才没了内建电厂没问题但是总和电场才是影响电子的东西，而外加电厂不能抵消内建电厂吗（同时保留耗尽层）？
【 在 flameblue 的大作中提到: 】
: 电子不能进入纯硅是错误的概念！
耗尽层和内建电场是一体两面，消除了耗尽层才没了内建电场。
你可以这样理解，外加电场就像推...
--
FROM 106.121.224.*

外加电场就是抵消内建电场的，内建电场就是耗尽层的存在的结果，有耗尽层就有电场，没了耗尽层哪里还有内建电场？要知道掺杂半导体本身也是电中性的，掺杂多出来的载流子，就有多出来的离子，数量相等电荷相反。载流子耗尽了，就有了净电荷（离子），必然就有电场。

【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 我也觉得能进入si但是不一定进入很深。
: 消除耗尽层才没了内建电厂没问题但是总和电场才是影响电子的东西，而外加电厂不能抵消内建电厂吗（同时保留耗尽层）？
: 耗尽层和内建电场是一体两面，消除了耗尽层才没了内建电场。
: ...................
--
修改:flameblue FROM 106.224.194.*
FROM 106.224.194.*

你似乎还没有理解载流子的扩散运动。pn结的正向电流主要是扩散电流。由于界面存在巨大的浓度梯度，载流子本该向对面层扩散，但由于内建电场的存在阻碍了扩散进行。外加电场抵消内建电场，使扩散得以进行，形成电流。电子感受到的是总电场没错，在外加电场没有超过内建电场时，总电场仍然是n指向p，总电场驱动载流子运动的方向跟pn结正向电流是相反的。所以结区电流的动力来源还是载流子的浓度梯度。


【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 你没看懂我的意思。内建电厂由pn结的电荷建立，外部电源加的电厂同样作用于pn结区，在这个区域的总电厂可以为0，自由电子感受到的是总和电厂。不是内建电厂自己。
--
FROM 106.224.194.*

纯Si里面哪有载流子的浓度梯度？
你这样问太零碎了，看书两小时，胜过你在这里问两天。

【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 你还是没有说区别。纯si两侧也有电子，为什么不能扩散进si？只能扩散进pn结？
--
FROM 111.75.210.*